新洁能(605111) 优化产品结构、市场结构和客户结构,业绩实现稳健增长
新洁能(605111)
事项:
公司公布2024年年报和2025年一季报,2024年公司实现营收18.28亿元,同比增长23.83%;归属上市公司股东净利润4.35亿元,同比增长34.50%。2025年一季度公司实现营收4.49亿元,同比增长20.81%;归属上市公司股东净利润1.08亿元,同比增长8.20%。公司拟向全体股东每10股派发现金红利0.651元(含税),预计派发现金红利26,969,562.05元(含税)。
平安观点:
积极应对市场变化和响应客户需求,公司业绩稳健增长:2024年公司实现营收18.28亿元(+23.83%YoY),归母净利润为4.35亿元(+34.50%YoY),主要系公司积极应对市场变化和响应客户需求,积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会,利用技术和产品优势、产业链优势等,优化产品结构、市场结构和客户结构,将产品大量销售至新能源汽车和充电桩、AI服务器和数据中心、智能机器人、无人机、光伏储能等领域头部客户,进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。2024年公司整体毛利率和净利率分别是36.42%(+5.67pct YoY)和23.57%(+2.05pct YoY)。从费用端来看,2024年公司期间费用率为8.38%(+2.18pct YoY),其中销售费用率、管理费用率、财务费用率和研发费用率分别为1.35%(+0pct YoY)、3.03%(+0.17pctYoY)、-1.68%(+2.25pct YoY)和5.67%(-0.24pct YoY)。2025Q1单季度,公司实现营收4.49亿元(+20.81%YoY,-5.01%QoQ),归母净利润1.08亿元(+8.20%YoY,+5.76%QoQ),扣非归母净利润1.04亿元(+24.61%YoY,+31.17%QoQ)。Q1单季度的毛利率和净利率分别为36.58%(+1.82pct YoY,+0.61pct QoQ)和23.88%(-2.72pct YoY,+2.45pct QoQ)。
优化产品结构、市场结构和客户结构,SGT-MOSFET快速增长:从产品结构上来看,1)SGT-MOSFET为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台,实现营收7.80亿元(+43%YoY),销售
iFinD,平安证券研究所
占比从37.11%增长到42.86%。在AI算力服务器领域,利用第三代SGT-MOSFET平台的高性能优势,加快产品推广,已经在代表客户中通过试产,后续会快速上量;一季度订单较好增长,公司积极跟进客户需求,相关产品继续扩充产能增加供货,保证已有销售并进一步拓展其他新兴市场,预计2025年SGT产品的销售量仍会继续提升。2)SJ-MOSFET实现营收2.16亿元(+17.35%YoY),销售占比从12.52%降至11.86%;3)IGBT实现营收2.75亿元(+3.17%YoY),销售占比从18.09%降至15.08%;4)Trench-MOSFET实现营收5.27亿(+16.23%YoY),销售占比从30.84%降至28.96%。此外,公司一方面积极响应原有市场客户需求,加强客户黏性以促进更多产品料号的导入;另一方面,公司继续挑战高端应用市场,开拓多家海内外客户,应用领域涉及AI人工智能、机器人、高端服务器、汽车电子、无人机等,深度绑定国内新能源光储领域头部客户,以可靠的产品,优质的服务,加强客户对公司品牌的认可度。从市场结构和客户结构来看,工业自动化、汽车电子、光伏储能、泛消费、AI算力及通信、机器人、智能短交通的营收占比分别为35%、18%、15%、15%、9%、4%、4%。
投资建议:公司主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新,构建了IGBT、SGT MOSFET、SJ MOSFET、Trench MOSFET四大产品工艺平台,并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品,目前产品型号近4000款,电压覆盖12V~1700V全系列,重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等。根据公司最新财报,我们预计公司2025-2027年净利润分别为5.44亿(前值为5.89亿元)、6.64亿元(前值为6.98亿元)、8.11亿(新增),EPS分别为1.31元、1.60元和1.95元,对应4月25日收盘价PE分别为23.7X、19.5X和15.9X,考虑到公司后续新品开发推广情况以及在功率器件领域持续开拓中高端市场和重点客户,维持公司“推荐”评级。
风险提示:(1)行业景气度下行的风险:公司业绩与半导体功率分立器件行业景气度密切相关,如若下游需求不及预期,公司收入和盈利增长可能受到不利影响;(2)市场竞争加剧的风险:MOSFET、IGBT属于技术门槛较高的功率半导体器件,对研发技术、产品质量、服务都要求较高,一旦公司的技术水平、产品更新迭代的速度、产品和服务的质量有所降低,都可能被竞争对手抢夺市场份额;(3)成本上涨的风险:如果公司主要供应商成本上涨,则可能导致公司的业绩受到不利影响。
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