存储芯片行业周度跟踪：集邦咨询预计25Q1 NAND平均合约价降10~15%，TechInsights预计2025年HBM出货量同比增长70%

　　核心观点

　　NAND：集邦咨询预计2025Q1NAND平均合约价预测降10~15%。根据DRAMexchange，上周（20241230-20250103）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.79%至3.08%，平均涨跌幅为0.47%。其中3个料号价格持平，11个料号价格上涨，8个料号价格下跌。根据IT之家援引TrendForce集邦咨询报告，预测2025年第1季度NAND Flash平均合约价环比下降10~15%；DRAM合约价环比下降8~13%。集邦咨询预测，2025年第1季度NAND Flash市场将面临严峻挑战，供货商库存持续上升，订单需求下降，平均合约价预计将环比下降10%至15%。

　　DRAM:铠侠宣布已开发出OCTRAM技术。根据DRAMexchange，上周（20241230-20250103）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.24%至1.43%，平均涨跌幅为0.09%。上周7个料号呈上涨趋势，9个料号呈下降趋势，2个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，铠侠宣布已开发出OCTRAM技术，这是一种新型4F² DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶体管，可将漏电率降低到极低水平，从而降低DRAM功耗。

　　HBM：TechInsights预计2025年HBM出货量将同比增长70%。根据科创板日报援引TechInsights报告，随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的增长预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而不是传统的DRAM产品。

　　市场端：行业SSD和内存条价格普降。根据CFM闪存市场报道，随着前段时间渠道部分低端BGA颗粒缺货不断，渠道厂商跟随市场情况适时试涨部分低容量SSD成品，近期部分渠道客户已然接受涨价并陆续有实单成交，涨价效应初步显现。而行业市场因少数存储厂商压低价格，PC终端客户对价格接受度普遍较低，令行业SSD和内存条价格普降。嵌入式方面，低容量eMMC在货源相对紧缺且需求有撑下仍然强势续涨，而其余产品需求则较为寡淡。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

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甬兴证券 陈宇哲,林致