电子行业周报：SKhy nix发布存储新路线，重塑AI时代新架构

　　投资要点：

　　存储芯片涨价带动其他电子Ⅲ上涨。本周（2025/11/03-11/07）SW电子行业指数（-0.09%），涨跌幅排名21/31位，沪深300指数（+0.82%）。SW一级行业指数涨跌幅前五别为：电力设备（+4.98%），煤炭（+4.52%），石油石化（+4.47%），钢铁（+4.39%），基础化工（+3.54%），涨跌幅后五分别为:美容护理（-3.10%），计算机（-2.54%），医药生物（-2.40%），汽车（-1.24%），食品饮料（-0.56%）。本周SW电子三级行业指数涨跌幅前三分别是：其他电子Ⅲ（+4.88%），被动元件（+4.85%），印制电路板（+4.32%）；涨跌幅后三分别是：品牌消费电子（-3.60%），模拟芯片设计（-2.25%），集成电路封测（-1.58%）。

　　事件：11月4日，SKhynixCEOKwakNoh-Jung在韩国首尔举办的“SKAISummit2025”峰会上，正式宣布公司转型“全线AI存储创造者”的新愿景，同时揭晓了包含定制化高带宽内存（CustomHBM）、AI专用DRAM（AI-D）及AI专用NAND（AI-N）在内的三大存储新路线。

　　SKhynix正式公布2026-2031年产品规划，将分阶段推出HBM系列（Standard与Custom双线），同步推进AI专用存储（AI-D、AI-N系列）及通用DRAM、StandardNAND产品的规模化落地。1）HBM领域，公司2026-2028年推出HBM416层堆叠产品，HBM4E起供应定制化方案，2029-2031年进入HBM5世代；2）AIDRAM产品线细分为三大方案，AI-DOptimization聚焦低功耗高性能以降本提效;AI-DBreakthrough凭借超大容量内存与灵活分配特性;AI-DExpansion拓展应用至机器人、移动性及工业自动化等领域；3）AINAND聚焦三大应用领域，AI-NPerformance主打高性能以适配大规模AI推理数据处理，计划2026年底前推出新结构NAND及控制器样品，AI-NBandwidth通过晶粒垂直堆叠扩宽带宽，结合HBM堆叠结构与高密度低成本NAND弥补HBM容量限制，AI-NDensity聚焦密度提升，以超大容量强化成本优势，提供低功耗低成本的海量AI数据存储方案。

　　存储器分为易失性（含DRAM、SRAM等）与非易失性（含NANDFLASH等）两类，全球存储市场呈持续增长且寡头垄断的格局。据DRAMeXchange与TrendForce数据，2024年DRAM、NAND市场规模分别达958.63亿美元、656.35亿美元，DRAM作为核心品类占据存储芯片主导地位，2025Q2占比达68.32%，SKhynix、Samsung、Micron三大头部厂商合计掌控DRAM超90%市场份额。

　　江波龙作为全球领先的半导体存储品牌厂商，为客户提供高端、灵活、高效的全栈式存储定制解决方案。公司核心业务涵盖NANDFlash与DRAM存储模组的设计、封装测试及销售，产品覆盖数据中心、汽车电子、物联网、安防监控等专业领域。2024年，公司实现营业收入174.64亿元（同比+72.48%），2022-2024年复合增长率达44.79%；2024年公司毛利率为19.05%，同比提升10.86个百分点。公司营收增长主要得益于优化产品组合（如加快企业级高性能eSSD布局）、完善全球工厂布局以强化封测技术、加强品牌建设提升客户忠诚度；公司产品布局聚焦消费电子与数据中心领域。

　　投资建议：头部存储厂商纷纷向AI领域倾斜，聚焦HBM、AI专用存储等高附加值品类，传统存储受产能供需紧张带动存储芯片价格持续上涨。江波龙（301308SZ）是国内存储模组龙头企业，产品精准聚焦AI服务器、数据中心等核心场景的相关存储需求，深度契合行业转型趋势，建议关注相关投资机会。

　　风险提示：1）国际贸易摩擦加剧2）下游需求不及预期3）技术升级进度滞后

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爱建证券 许亮,朱俊宇