电子行业研究周报：中芯国际毛利率及产能指标修复，存储资本支出或对位元出货支撑有限

　　投资摘要：

　　每周一谈：中芯国际毛利率及产能指标修复存储资本支出或对位元出货支撑有限

　　中芯国际三季报发布，三季度产能及毛利等指标如期修复。根据中芯国际公告和腾讯科技，中芯国际25Q3实现营收23.82亿美元、环比增长7.8%，超出此前指引。毛利率22.0%、环比上升1.6个百分点，高于此前指引。产能利用率上升至95.8%、环比增长3.3个百分点，25Q3月产能超过100万片。公司三季度出货量、平均单价均实现环比增长，产能利用率提高、产品结构调整，使得毛利率超出指引。公司在25Q1业绩说明会表示，公司厂务年度维修、设备验证中出现的影响公司生产指标的事项预计延续三到五个月，三季度产能及毛利等指标如期修复。公司晶圆收入中，消费电子、工业与汽车、电脑与平板占比环比提高，公司表示，国内客户产品加速在海外市场拓展份额，各类消费电子供应链需求旺盛，使得消费电子季度收入贡献环比提高，手机收入贡献环比有所下降源于客户需求量的季节性调整，AI芯片晶圆代工相关的电脑与平板分类收入贡献环比小幅提高，公司表示产线仍处于供不应求的状态。公司预期国际财务报告准则下的25Q4指引为季度收入环比持平至上升2%，毛利率介于18%至20%的范围内。我们认为，在AI算力需求提升和半导体自主可控大背景下，国产代工有望在更先进制程和更大产量层面继续提升，国际龙头向更先进制程的产能结构调整也为国产代工留出空间，建议关注中芯国际、华虹公司的预期及估值提升。

　　存储大厂频传提价，产业2026年资本支出或对位元产出支撑有限，供需紧张局面有望延续。根据芯智讯和DigiTimes，近期闪迪将其11月NAND Flash闪存合约价格提高50%，公司在9月已宣布对NAND Flash合约价调涨10%，涨价对下游存储供应链带来冲击，促使创见、宜鼎和宇瞻科技等存储模组制造商暂停出货并重新评估报价。本月三星电子将某些DRAM芯片（DDR5）的价格相比9月份上涨60%。

　　TrendForce集邦咨询调查显示，随着存储器平均销售价格持续提升，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出增长支撑有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。Samsung和SK Hynix/Solidigm（思得）将缩减或限制NAND Flash资本支出，优先将投资转向HBM和DRAM领域。TrendForce认为，NANDFlash市场的供不应求状态预计将延续2026年全年。

　　建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。

　　投资策略：在AI算力需求提升和半导体自主可控大背景下，国产代工有望在更先进制程和更大产量层面继续提升，国际龙头向更先进制程的产能结构调整也为国产代工留出空间，建议关注中芯国际、华虹公司的预期及估值提升。建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。

　　风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧

　　1.市场回顾

　　上周（11.10-11.14）申万电子行业指数下跌4.77%，在申万31个行业中排名第30，跑输沪深300指数3.68%。

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申港证券 王伟