电子行业点评：存储供需好转 复苏有望延续

　　投资摘要：

　　存储产品价格现企稳回升趋势。继闪迪此前通知4月1日将上调NAND闪存报价后，由于存储原厂减产和生产节奏影响，NAND供货吃紧，美光、三星电子、SK海力士等厂商均将从4月起提高NAND闪存报价，NAND价格回涨速度高于原先预期。

　　存储供需逐步好转，DRAM价格或将逐季好转，NAND Flash价格下半年有望回升。DRAM现货价格在2023年Q2-Q3见到阶段性底部区间后出现反弹，并在2024Q3左右回落。2025年以来DRAM价格表现分化，DDR5等高档产品价格回升明显，中低端DRAM价格表现平淡。

　　NAND方面，Wafer及eMMC近期价格不断垫高，利基型SLC NAND与通用型走势和涨跌幅度有所不同。模组产品方面，eMMC各容量市场价年初以来呈回升趋势，其中32GB以下的小容量产品涨幅相对较高，反映移动端场景尤其是小容量产品的复苏。小容量SSD因其尺寸、功耗、成本等特点，在嵌入式系统、移动设备等场景中或率先复苏。

　　DRAM和NAND行业营收自2023Q2开始逐季回升，2024Q4同比增速55.9%。DRAM和NAND行业表现分化，存储原厂营收持续同比改善。由于NAND较DRAM行业集中度更低，市场参与者较多，导致产能去化和竞争格局优化慢于DRAM，本轮复苏周期NAND行业营收同比增长慢于DRAM。存储原厂减少旧产能，聚焦先进制程产品，加速周期见底回升。资本支出将更多投入到更先进封装或研发上，更侧重于HBM、1c、1γ和200层、300层等先进产能。

　　海外存储原厂库存较高峰期已有明显去化，下游应用或处于调整库存的后期阶段。海外存储原厂库存多在2023Q1-Q2达到高峰，此后库存有所去化。海外存储原厂库存较高峰期已有明显去化，下游应用或处于调整库存的后期阶段。国内模组和利基型存储等行业存货显示行业或将见底回升。模组公司库存处于较高水平，存储芯片和接口配套芯片公司库存于2023Q2-Q3开始下降至今已超过一年，综合看行业或将见底回升。

　　AI算力投资和端侧应用需求延续，带动存储位元需求扩容。随着AI训练和推理对算力需求的快速增长，数据中心对HBM、大容量DDR5及企业级SSD的存储需求同步增加，AI与云服务成为存储需求核心驱动力。DRAM位元需求2025/2026年分别有望同比增长15%/17%，NAND位元需求2025/2026年分别有望同比增长12%/15%，同比增速较2024年有望加速。服务器市场已成为存储产业发展的核心驱动力。行业龙头美光调高2025年HBM市场规模展望至350亿美元。大容量存储需求使QLC产能占比提高，技术进步为存储产业带来新增长机遇。高堆叠和先进制程在存储技术路线上持续演进，新形态产品不断涌现。DRAM方面2025年会更多在1c、1γ等制程上继续升级。在数据中心领域，基于LPDDR的LPCAMM、SOCAMM等新形态存储产品不断涌现。AIPC、手机的快速渗透带动新增需求，预计2025年AI手机的比例将达到30%，AI PC带动PC销量增长同时，也对高性能存储提出新需求。汽车存储技术的迭代速度明显加快。美光数据显示，先进的自动驾驶出租车平台已配置超过200GB的DRAM，比普通汽车中的DRAM高出20到30倍。随着算力的提升和功能的丰富，汽车存储的带宽需求也在急剧增加，这为存储产业在汽车领域的拓展提供了广阔的空间。

　　投资策略：随着存储上游控产、库存消化，以及AI应用扩大带来企业数据中心eSSD、大模型本地部署和终端换机等新增需求，行业供需关系或将逐步改善，存储价格和需求有望逐步回升。建议关注佰维存储、澜起科技、德明利、江波龙等存储模组公司，兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、澜起科技、聚辰股份等端侧存储和芯片设计企业。

　　风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧

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申港证券 王伟