核心观点

　　NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，美光第九代NAND闪存技术宣布量产。根据DRAMexchange，上周（0729-0802）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.53%至0.29%，平均涨跌幅为-0.22%。其中12个料号价格持平，1个料号价格上涨，9个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，美光宣布其276层TLC G9NAND已量产，可提供比目前可用的竞争性NAND解决方案高出99%的单芯片写入带宽和高出88%的单芯片读取带宽。

　　DRAM：颗粒价格小幅波动，三星电子转换平泽四厂为"DRAM专用"。根据DRAMexchange，上周（0729-0802）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.68%至1.24%，平均涨跌幅为-0.22%。上周6个料号呈上涨趋势，12个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，为补充因HBM供应而导致的通用DRAM供应不足，三星电子决定将平泽四厂（P4）转换为DRAM专用生产线。原本计划将P4工厂的一楼分为NAND和代工生产线，但现在计划将其改为专用的DRAM生产线。预计从2025年上半年开始，向P4引进专用的DRAM设备。

　　HBM：三星电子将HBM组装检测工艺外包给子公司STeco，Techwing下半年将推出HBM综合检测设备。根据CFM闪存市场报道，三星电子正在调整其高带宽存储器（HBM）的生产策略，计划将HBM的组装检测工艺外包给其子公司STeco。韩国半导体测试设备宣布，已完成HBM检测设备“Cube Prober”的开发，正在进行质量改进。三星电子第五代8层HBM3E产品目前正接受客户评估，计划第三季度实现量产。我们认为，受益于AI不断发展，算力卡需求攀升，HBM产业链有望持续受益。

　　市场端：渠道和行业SSD价格保持稳定。上周（0729-0802）eMMC价格持平，UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，本周渠道SSD/内存条价格基本维持稳定。行业市场方面，本周行业SSD和内存条价格基本稳定。本周嵌入式价格维持不变。部分渠道终端客户因监管风向趋紧供应链出现断裂，为寻找新的货源，将目光转向嵌入式市场，带动嵌入式市场询单量攀升。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

甬兴证券 陈宇哲