电子行业周报：三星否认其HBM3E通过英伟达所有测试，第三代半导体8英寸时代加速
投资要点
上周回顾
电子行业细分板块比较，8月5日-8月9日当周，大部分电子行业细分板块处于上涨态势。其中，消费电子零部件及组装、印制电路板、光学元件涨幅最大。估值方面，数字芯片设计、半导体材料、模拟芯片设计估值水平位列前三，LED、集成电路封测估值排名本周第四、五位。
三星否认其8层堆叠的HBM3E通过英伟达资格测试，但验证进度有望加速
之前有媒体报道，三星在抢夺HBM市场上取得重大进展，三星已通过了英伟达的第五代高带宽内存芯片HBM3E资格测试，报道称，三星和英伟达预计将很快签署供应协议，首批产品可能于今年第四季度开始交付。但是三星电子于本周三否认了路透社有关其第五代HBM3E芯片已通过Nvidia的资格测试的报道，称“仍在与主要客户进行测试”。三星去年以来来一直在努力通过Nvidia的认证测试，其最大竞争对手SK海力士自2月份以来一直向Nvidia供应最先进的8层HBM3E。三星电子执行副总裁金在俊在两周前的财报电话会议室表示，预计HBM3E芯片将占其HBM总销量的60%。目前全球只有SK海力士、美光科技、三星生产这种高尖端高附加值存储芯片，根据TrendForce，SK海力士目前主导着这个新兴市场，预计今年将占据52.5%的市场份额。三星预计将占据42.4%，而美光预计将占据剩余的5.1%。预计今年下半年HBM3E将成为主流产品，SK海力士表示，计划于2025年下半年开始供应12层HBM4。
HBM缺货或影响全球数据中心GPU的供应和数据中心开发商的扩张计划。今年5月，SK海力士宣布，其2024年和2025年大部分时间的高带宽内存(HBM)芯片供应已售罄。根据TrendForce预测，HBM在整个内存市场的份额将在2024年增长近一倍，从2023年的2%增至今年的5%。展望未来，预计到2025年，HBM的市场份额将超过整个内存市场的10%。预计从2024年开始高带宽内存将占DRAM总市场价值的20%以上，到2025年可能超过30%。HBM内存的制造成本更高，制造难度更大，制造时间也比标准DRAM更长。因此，内存制造商不可能立即转向增加HBM产量。三星HBM3E在英伟达的验证进度有望加速。建议关注：赛腾股份、精智达、芯源微、伟测科技等。
英飞凌投资全球最大碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂，第三代半导体8英寸时代加速
英飞凌投资20亿欧元的居林晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的200毫米碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂，同时还将生产氮化镓(GaN)器件。英飞凌科技公司已正式启用位于马来西亚居林的新功率工厂一期，该工厂一期投资20亿欧元，采用外购SiC晶圆生产SiC功率半导体，还将包括氮化镓(GaN)外延。第二阶段的投资额高达50亿欧元，将打造全球最大、最高效的200毫米SiC电源工厂。英飞凌已获得价值50亿欧元的设计订单，并已从现有和新客户那里收到约10亿欧元的预付款，用于持续扩建居林3号工厂。这些设计订单包括汽车行业的六家OEM以及可再生能源和工业领域的客户。居林3将与位于奥地利菲拉赫的英飞凌工厂紧密相连，菲拉赫是英飞凌的全球功率半导体能力中心，该公司已在该工厂提高了SiC和GaN功率半导体的产能。公司的目标是在2025年将生产规模从6英寸扩大到8英寸。建议关注：天岳先进、三安光电、东尼电子、晶盛机电、晶升股份等。
风险提示
半导体制裁加码，晶圆厂扩产不及预期，研发进展不及预期，地缘政治不稳定，推荐公司业绩不及预期等风险。
华鑫证券 毛正,吕卓阳
