电子行业存储芯片周度跟踪：渠道内存条和SSD价格维稳，三星量产1Tb QLC第九代V-NAND
核心观点
NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，三星量产1Tb QLC第九代V-NAND。根据DRAMexchange，上周（0909-0913）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.51%至5.00%，平均涨跌幅为1.44%。其中1个料号价格持平，19个料号价格上涨，2个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，三星电子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式开始量产，采用了多项突破性技术，存储密度提升约86%。SK海力士宣布，开发出适用于数据中心的高性能固态硬盘（SSD，Solid State Drive）产品‘PEB110E1.S’，2025年Q2量产。
DRAM：颗粒价格小幅下跌，威刚对DRAM市况维持乐观。根据DRAMexchange，上周（0909-0913）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.75%至-0.15%，平均涨跌幅为-1.09%。上周0个料号呈上涨趋势，18个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，威刚发布最新财务数据，8月营收环比基本持平，对DRAM市况维持乐观。
HBM：SK海力士利川工厂M10F转型HBM生产线。根据CFM闪存市场报道，SK海力士在其利川半导体工厂“M10F”生产第五代高带宽存储器（HBM）。SK海力士目前正在建设基础设施，以应对HBM快速增长的需求。
市场端：渠道内存条和SSD价格维持不变。上周（0909-0913）eMMC价格环比下跌1.04%，UFS价格环比下跌1.07%。根据CFM闪存市场报道，目前渠道低成本库存逐渐消耗，低价资源有限，渠道行情整体呈震荡筑底趋势，本周渠道内存条和SSD价格维持不变。《黑神话：悟空》游戏火爆，但对于消费端实质性复苏仍缺乏长期有效动能，本周行业SSD和内存条价格基本不变。此外，本周部分高容量eMMC/UFS及LPDDR4X价格小幅调降，嵌入式出货压力加剧，现货嵌入式价格小幅走低。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
