电子：存储厂国产化程度进一步提升，华为UCM提升先进存储使用效率
主要观点：
中国存储厂商或全面导入本土EDA，本土EDA厂商扮演关键角色根据Digitimes信息披露显示，中国厂商首次在大规模Flash与DRAM量产中，全面导入自研本土EDA工具，为产业自主化补齐了最关键的设计环节。国内公司已开发全流程EDA系统，且能支援DRAM、NAND Flash量产的设计平台。此举将推动中国逐步形成晶片自制＋本土EDA工具的供应链，以降低对国际EDA厂家的依赖。
目前，华大九天已建立多个全流程EDA工具，涵盖类比、记忆体、射频与平板显示电路，具备本土替代的能力。不过，在数位逻辑设计与晶圆制造环节，与国际大厂仍存在差距。未来公司设定目标是逐步构建全领域、全流程EDA工具链，支撑中国IC设计与自制产业。
华为UCM通过软件方法解开硬件使用瓶颈，提升存储使用效率
根据Digitimes信息，华为推出UCM（Unified Cache Manager）推理记忆资料管理器的新技术，根据华为宣称，UCM测试中可让First Token的生成延迟缩短9成，模型上下文记忆范围扩展10倍，整体吞吐率提升高达22倍。
从产业角度来看，华为UCM并非要取代HBM，而是提升其使用效能，让获取的有限资源得以发挥最大的作用与效能。将资料依热度存放在不同层级记忆体之中。也就是把最即时、最常用的数据放入HBM，中期需要的则下放至DRAM，而大量但低频访问的冷资料则下沉到SSD。
华为软件能力创新，补偿中国本土AI在硬体层面的缺陷，并为本土厂家额外争取到时间窗口。将既有的、有限HBM硬体发挥最大效能，让每一颗HBM发挥更高的效能；透过规划管理AI记忆结构，在硬体受限的情况下释放出最大的潜能。
国产存储厂进一步提升国产化水平，国产供应链值得关注
国家安全部公众号发文表示，无论是提升自主创新能力，维护科技自身安全，还是充分应用科技实力，支撑和保障国家重点领域安全，都需要我们统筹发展和安全，积极应对科技领域的安全风险挑战。全面增强科技维护和塑造国家总体安全的能力，以新安全格局保障新发展格局，以高水平安全保障高质量发展。
长鑫存储与长江存储的崛起，对国内存储产业乃至整个半导体行业都具有深远的影响。一方面，它们的成功为国内其他存储企业树立了榜样，带动了整个产业的技术升级与发展。另一方面，国内存储企业的壮大，也有助于提升我国在全球半导体产业链中的地位，降低对进口存储芯片的依赖，保障国家信息安全。
国产存储双雄崛起，存储芯片国产化持续进行
长存长鑫是国内晶圆厂扩产计划中重要组成部分。在扩产方面，Counterpoint预测称，DRAM内存企业长鑫存储今年将在去年大幅增产的基础上产能进一步同比增长近50%；而到今年末，长鑫的按比特出货量计市占将从一季度的6%提升到8%。在技术迭代方面，长鑫存储今年的产能将从DDR4/LPDDR4加速向DDR5/LPDDR5过渡，反映到出货量上就是DDR5/LPDDR5的市场份额将从一季度的1%左右分别提升到7%和9%。在技术创新方面，长江存储已成功实现294层3D NAND量产，并积极推进300层NAND开发，层数已逼近三星，其采用自研Xtacking4.0与先进CMOS Bonded Array（CBA）架构，同时导入PLC技术提升密度。长鑫存储则成功量产本土DDR5模组，规划2025年底至2026年间量产HBM3记忆体，正式跨足高频宽记忆体市场。
国产存储产业链相关公司：精智达，兆易创新，华大九天，神工股份，上海新阳，江波龙，佰维存储等。
风险提示
1）下游需求不及预期；2）国产大模型迭代不及预期；3）制裁加码；4）算力基础设施建设不及预期；5）国产算力技术迭代不及预期。
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