光刻胶是光刻工艺关键材料，半导体光刻胶原材料+制造技术壁垒高光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模板转移到待加工基片上的图形转移介质。光刻胶按应用领域分类可分为 PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶三大类，其中半导体光刻胶技术壁垒最高。

    　　根据曝光波长的不同，半导体光刻胶可分为G 线、I 线、KrF、ArF 和 EUV 五种类型。光刻胶曝光波长越短，则加工分辨率越高，能够形成更小尺寸和更精细的图案，目前最先进的光刻胶曝光波长已经达到了极紫外光波长范围为EUV 光刻胶。半导体光刻胶技术壁垒主要集中于1）原材料端：光刻胶的原材料包括树脂、光酸、添加剂和溶剂，我国原材料自给率总体较低，特别树脂原材料，成本占比接近50%，且高端树脂国产化量产供应量极低。2）制造端：光刻胶的配方复杂，无法通过现有产品反推配方；同时验证周期长，需要与客户高度协同；此外，高端光刻机设备购置及维护成本高，对光刻胶企业设备投入要求较高。

    　　中国晶圆厂建设加速+芯片制程提升，驱动半导体光刻胶市场空间快速增长全球半导体制程向着更先进、更精细化方向发展，驱动半导体制造对光刻胶需求增长。KrF 光刻胶：随着3D NAND 堆叠层数迅速增加，对光刻胶的使用量也将大幅提升；ArF 光刻胶：主要用于先进制程的多重光刻工艺，其用量也随着市场对先进工艺产品的需求不断增长； EUV 光刻胶：先进制程道次的增加，推动其使用量将大幅增加。截至2023 年11 月，中国晶圆厂已建成44 座，预计至2024年底，将建立32 座大型晶圆厂，且全部锁定成熟制程。预计2024-2026 年中国大陆半导体光刻胶总体需求量增速将快速复苏，达到12.04%、11.50%和7.71%。

    　　半导体光刻胶+原材料壁垒突破，“专精特新”企业助力国产进口替代加速我国光刻胶行业发展起步较晚，生产能力主要集中在PCB 光刻胶等中低端产品，高端半导体光刻胶被美日企业垄断。北交所作为“专精特新”中小企业的主阵地，新三板作为“专精特新”中小企业的重要后备力量，光刻胶领域聚集了一批具备稀缺性的优质公司，在细分领域上通过半导体光刻胶+原材料壁垒突破，助力光刻胶实现国产替代。佳先股份：子公司英特美实施建设年产700 吨电子材料中间体项目，其中对乙酰氧基苯乙烯产能为500 吨/年，可用于合成KrF 和 EUV 光刻胶树脂主要成分聚对羟基苯乙烯；此外，公司加强同徐州博康的交流，并在此前达成的战略合作意向的基础上，进一步深化合作。2024Q1 实现营收1.47 亿元（+18.43%），归母净利润1091.03 万元（-0.07%）。瑞红苏州：公司是目前我国唯一一家拥有全系列波长（436/365/248/193nm）光刻机研发平台的光刻胶生产企业。KrF、ArF 光刻胶生产及测试线已经建成，KrF 光刻胶部分品种已量产。

    　　截至2023 年末公司已有多款 ArF 高端光刻胶在研并送样，多款 KrF 光刻胶批量出货半导体客户。2023 年实现营收2.46 亿元（+9.10%），归母净利润2639.58万元（-22.91%）。